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工商時報【劉佩真台灣經濟研究院產經資料庫副研究員】

半導體行業已成為中國國家戰略優先發展的產業,加上積體電路是「中國製造2025」未來產業智慧化的核心,因此反映中國半導體業的核心地位日益顯著。而因2016年正處於行業上升週期與國家政策扶持週期疊加共振之中,故中國半導體業整體景氣仍持續向上,特別是在國家戰略和市場機制的結合下,中國半導體業將可望達到重點突破和整體水準提升的目標,預計中國國家積體電路產業投資基金(大基金)投資佈局將從面覆蓋朝向點突破來作轉變,同時工作重心將從注重投資

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轉為上下游供應鏈同步並重的方向來走。另外2016年中國半導體產業發展將以政府大力扶植自主創新、超越摩爾定律、記憶體為發展重

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點等為主軸,就整體市場變動來看,本土配套和進口替代的黃金交叉正在上演。

首先,在政府大力扶植自主創新方面,在中國積體電路已有一定的發展基礎後,提倡技術或規格的自主創新將是行業發展必經之路,畢竟從過去聯想與華為兩家公司的經營成效可知,聯想選擇模仿和購併的發展模式,華為選擇自主創新的策略,後來華為發展遠快於聯想,顯示中國半導體行業將從跟隨戰略轉向創新跨越,在全球產業創新鏈中形成自己的特色。

其次在超越摩爾定律方面,主要是基於物

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聯網的發展,MEMS與積體電路的融合將是趨勢,甚至未來半導體產業驅動模式將從過去技術驅動轉變為技術集成、產業鏈生態體系整合驅動的模式。

中國半導體行業在2016年將以記憶體為發展重點,最主要是記憶體與微處理器是發展半導體業不能或缺的領域,況且記憶體市場的仍具成長潛力,特別是中國切入記憶體市場更有其優勢,包括進口替代空間大、產業轉移、政策大力支持等,而預計2016年武漢新芯、同方國芯、兆基科技(合肥Elpida)將攜手挑起中國記憶體產業的發展大樑,填補最為空白的領域。

其中,同方國芯於2015年11月宣佈定向增資800億元人民幣,主要佈局Nand Flash相關的技術與專利、製造工藝等,包括記憶體晶片工廠的建立、收購力成與南茂25%股權、產業鏈上下游的收購等;爾後2016年3月底武漢新芯舉行東湖記憶體項目動工儀式,該專案由國家積體電路產業投資基金(大基金)、湖北省積體電路產業投資基金、國開發展基金、湖北省科技投資集團共同出資建設,專案總投資將達240億美元,未來投入將以3D NAND Flash產品為主,預計產能可望達30萬片,目標最快2018年年初開始生產;至於合肥政府攜手爾必達460億人民幣建10萬片/月低功耗記憶體晶圓廠,2018年下半年量產。

事實上,中國企業在佈局記憶體產業優先選擇3D NAND Flash而不是DRAM,最主要是由於NAND Flash未來市場成長性優於DRAM,特別是在傳統硬碟轉向固態硬碟的趨勢顯著、數據中心建設等環境帶動下,未來NAND Flash的用量將快速提升,加上NAND Flash適逢技術由平面NAND Flash技術架構轉至3D NAND Flash之時,給予中國業者切入發展的契機

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整體而言,雖然受到中國經濟成長趨緩的影響,使得2015年、2016年中國積體電路市場規模呈現增長減緩的格局,不過整體增幅分別為6.07%、5.49%仍是高於全球的水準,最主要是受惠於全球半導體產業轉移至中國態勢顯著,加上中國國家政策扶持態度堅定,使得生產與融資環境趨於完善,且結構深度也加速調整,更何況中國積體電路產業的進口替代空間超過2,000億美元/年,此為其他

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電子產品難以複製,意謂中國半導體業正適逢本土配套和進口替代黃金機遇期。
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